半导体器件物理世界级大师讲座
美国/中国/台湾 工程院院士,斯坦福大学终身教授,三次诺贝尔奖提名,讲座涵盖了最近最新的研究成果
施敏(Simon M. Sze),三院院士(美国/中国/中国台湾 工程院院士),"台湾半导体之父",非挥发性半导体内存(Flash)的发明者,手机发明人之一;
IEEE电子器件的最高荣誉奖(Ebers奖),杰出会员;三次诺贝尔奖提名;
斯坦福大学终身教授,数10所世界知名高校的客座教授(包括剑桥大学,北京大学,清华大学等),著作之一《Physics of Semiconductor Devices》被翻译成六国文字,发行量逾百万册并广泛用作教科书与参考书.
讲座主题:Semiconductor Physics and Devices
授课方式为3周的Intensive Courses(10月10日-10月28日),时间为每周一,二,三上午10:00-12:00.课程内容包括半导体器件物理的基础和高级课程以及21世纪半导体科学前沿技术的发展趋势和前景展望.
内容:
Semiconductor Physics
p-n Junction and Heterojunction
MOS Capacitor
MOSFET Fundamentals
MOSFET Related & Advanced Topics (CMOS, DRAM, SRAM, NVSM and FinFET, Future Trends in Microelectronics)
详细课程内容介绍和上课安排请见附录一.
教材:S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd Ed., Wiley, New York, 1981
课堂讲义1:Semiconductor Physics and Device (100 pages)
课堂讲义2::MOSFET and Related Devices (135 pages)
收费标准
人民币1000元/人, 含听课,讲义等费用
优惠条件: 同一单位3人以上800元/人
交费方式
银行汇款
开户名称:上海新长空教育发展有限公司
开户银行:中国民生银行上海华山支行
帐号: 144800-04210000200
内容: 培训费
开课时交现金,转帐支票
咨询
联系人: 陈老师
E-mail: chendongsheng@ic.sjtu.edu.cn
电话:(021)62835401-1115 或 62839407
传真:(021)62830849
注:上课具体教室以讲座开课通知为准;
报名截止日期2005年9月30日,以传真或发Email时间为准.
Appendix 1:
Course Outline in Lecture Units:
Week 1
10/10 (Mon.) 9:00-12:00
开课仪式;Semiconductor Physics
10/11 (Tue.) 10:00-12:00

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