财团法人国家实验研究院国家晶片系统设计中心 制程申请须知与说明
公布时间:100 年 10 月 11 日 一,安全性等级说明 安全性 A 等级
B
C
其它
定义
制程资料不对外 制程资料对外开放, 开放 以 Security 严格要求申请者对资 , Lab 方式管制. 安控管,并主动做相 关查核. TN40G TN90RF TN90MSG
制程资料对外开放,并主动做相关查核.
制程代号 (注一)
T18(MEMS18) SiGe18 GIPD D35 (MEMS35/BioMEMS35) P15 T25HV
CIC18
注一:制程代号对照请见:六 ,其它 二,申请人资格 安全性等级 制程代号 TN90RF TN90MSG A B C 其它 T18(MEMS18) SiGe18 GIPD D35 (MEMS35/ BioMEMS35) CIC18 P15 T25HV
TN40G
申请人资格
大专院校的教师(讲师 大专院校的教 大专院校的教授(助理教授以上)且前两年 以上)且前两年度无异常 度无异常使用制程纪录(注二) 授(讲师以上) 使用制程记录 无人数限制 惟需先参 , 加 【高阶制程申请及注 无人数限制,若无授权学生则请於「使用 意事项说明会】 方能申 者名单」一文件中填无即可. 请晶片制作(注三)
被授权人员 每个计画仅能包含 两个学生,且同一 位学生仅能参与一 个计画.
注二:异常纪录定义为前两年度曾申请 TSMC 制程,但在期间却无任何投片申请之纪录; 有异常纪录者须出具申请制程之必要性说明(如附件一)与相关证明文件. 注三: 「高阶制程(90nm 以下)申请及注意事项说明会」 ,时间地点另行公布.
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三, 申请方法 1. 一律线上申请. 2. 加入会员:申请之前,请先点选右上角『会员专区』进行登入.如果您尚未取得 CIC 会员身分,请在系统登录画面中点选『加入会员』申请成为 CIC 会员.
3. 请下载文件用挂号邮寄至新竹市科学园区展业一路 26 号 7F 晶片中心/晶片组制程申 请. 其它 A B C 备注 用印:申请者私章及学校系所章 使用者名单: a.Excel:填写后以 E-mail 将电子 档寄回 CIC 1 「制程资料申请书暨使用者名单(当年度) 」 b.Word:浮贴申请人的身份证或 驾照及每一位被授权人员的学生 证,以纸本寄回 CIC(皆为正反面 影本且学生须有当学期注册章且 每一制程分别制作) (一式叁份) 2 台积制程三方保密协定书(注四) TN40G 「PDK 存放单」 3 计画 --(注五) 申请书 注四:申请使用 TSMC 制程【TN40G/TN90RF/ TN90MSG/T18/SiGe18/D35 /T25HV】者 需缴交如下文件: (1)「台积制程三方保密协定书」--以学校为单位签订(本文件为终身约仅需於各校首次 申请时签交) . (2)「台积制程三方保密协定书(附件) 」--为申请者与被授权使用者签订. 注五:申请使用 TSMC 制程【TN90RF/ TN90MSG】者需缴交「PDK 存放单」 .
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4. 授权流程: 4.1 TN40G
※今年(2011)TN40G 将提供一梯次前瞻性晶片制作服务,TN40G 之下线申请并比照 现行前瞻性晶片制作流程. ※自 101 年度起规划每年 2, 8 月提供两梯次 TN40G 前瞻性晶片制作服务,详细时 程表请见 CIC 网页.
4.1.1 审查方式: 共分两阶段审查.所有审查全程采匿名方式作业,以维护审查公平性. 第一阶段(初审),采分领域书面审查方式.CIC 将计画书寄送给各专业领域委员审查. 第二阶段(复审),召开复审会议,由委员整体考量所有申请案后决议通过案件并公告. 4.1.2 审查原则: 计画书之规划需以医电子,能电子,3C 与用电子领域之智慧电子系统为需求, 以前瞻晶片设计为核心,并规划将成果发表於晶片设计领域之顶尖国际会议 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)及期刊 IEEE Journal of Solid-State Circuits (JSSC),以为晶片设计创新技术攻顶之目标.
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4.2 B,C,其他类制程
※ NDA 须经授权厂商核可,中心始能启动下载权限. ※自 100 年度起改为每月第一周送授权厂商签核,如有制程资料使用需求,建议您提 早申请.(授权厂商签核所需时间平均约 3~4 周) 4.2.1 初审原则: (1) 申请资料不齐全者,将被过滤.待补齐后方可重新申请. (2) 针对当年度申请授权者,若於前两个年度至今无任何下线申请纪录,将在申请 时被过滤.若有特殊需求非得申请者,请提出一份报告说明过去申请制程却未 提出下线申请的原因(格式请参考附件一) ,并附上证明其必要性之文件,如国 科会计画书封面与摘要,或其他足以证明其必要性之计画书封面与摘要. (3) 针对教育性性制程,请提出一份报告说明过去申请制程却未提出下线申请的原 因(格式请参考附件一),并附上所执行之教改计画书或课程简介(含修课人数)以 证明其必要性. 四,使用期限 (1) 采年度授权,每年 1 月 1 日至同年 12 月 31 日. (2) 每年 12 月 31 日终止授权,即使申请人 11 月获得授权,可使用期限也仅至同年 12 月 31 日. 五,说明 1. 申请人应详阅「制程资料申请书暨使用者名单」条约内容. Q3-CI01 V4.7

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