文档预览： 为了寻找晶硅电池的替代品,人们开始研究非晶硅薄膜电池及砷化镓基III-V族化合物、 硫化镉、碲化镉及铜铟硒薄膜电池等。上述电池中，非晶硅太阳能电池效率低下，且 ... 点击下载

文档预览： 第18卷第4期1998革11月固体 电子学研究与进展RESEARCH &PR0GRESS 0F SSEV01.18.No.4N0v..1998GaAs太阳电池 的体 电阻及 旁路漏 电对电池结特性 的影... 点击下载

文档预览： 砷化镓（GaAs）III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学 带隙以及 ... 但是GaAs材料的价格不菲,因而在很大程度上限制了用GaAs电池的普及。 ... 点击下载

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文档预览： 同时正在加紧开发以廉价硅材料为衬底的不需要切片的多晶薄膜电池，现在试验室 效率已达到14％。Sharp公司还开发出大面积（28cm2）的柔性GaInP/GaAs电池； ... 点击下载

文档预览： 除了上述以矽为主的太阳电池材料外, 还有各种不同的化合物半导体材料陆续被 研发出来.主要的材料有:GaAs,GaInP,InGaAs,CdTe, CuInSe2(CIS),CuInGaSe 2(CIGS)等.... 点击下载

文档预览： 2009年9月17日 ... 工作步骤是：1、在国外购买亚表面损伤极小的GaAs、InP衬底材料和加工制备不同亚表面 损伤层的衬底。2、反复测量比对，进行（RDS）测试数据与标样定量 ... 点击下载

文档预览： GaAs太阳电池只需要5~10微米的厚度，而硅太阳电池则需要150微米以上的厚度；因此，在制备晶体硅太阳电池时，硅片的厚度150~200微米以上，才能有效地吸收太阳能... 点击下载

文档预览： 不含O的GaP为绿光LED材料,含O的为红光LED 材料 GaP还可以跟GaAs无限共溶,形成...某些性能优于GaAs,即其电 流峰谷比较大,因而转换效率更高 InP电子峰值漂移速度... 点击下载

文档预览： 图4是本文的计算结果（质子在GaAs材料中的NIEL）和Anspaugh[20]等的实验结果（ 质子对GaAs太阳能电池的相对损伤系数）的比较。图中数据均以10MeV质子的值为 ... 点击下载